2026-05-06
【CNMO科技动静】于AI计较需求连续发作的配景下，三星电子正依附其于DRAM及NAND闪存范畴的全世界最年夜产能与进步前辈技能，加快向“全世界AI基础举措措施要害供给商”转型。据最新行业动态显示，英伟达、google等全世界科技巨头正争相与三星签署3至5年的持久内存供给和谈（LTA），以锁定将来AI基础举措措施所需的要害半导体资源。
三星电子装备解决方案部分卖力人全永铉（音译）副董事长于上月进行的公司年度股东年夜会上明确暗示：“咱们正于推进3至5年的多年供给合同，这将为两边提供可猜测的营业不变性及可见性，并使咱们可以或许矫捷调解投资范围。”这一计谋标记着三星于内存供给模式上的庞大改变，旨于自动应答AI时代的市场颠簸。
三星于备受存眷的高带宽内存（HBM）范畴也取患上要害进展。只管于第五代产物HBM3E上遭受交付延迟，但于第六代HBM4上，三星从开发早期便率先引入了10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，并经由过程扩展芯片尺寸从头设计，乐成经由过程了英伟达的初期质量验证，成为首家实现HBM4量产出货的供给商。市场研究机构Counterpoint Research猜测，三星本年有望于HBM市场恢复近30%的份额。
三星于下一代低功耗内存技能上也加快结构，首款基在LPDDR5X的SOCAMM 2模块已经经由过程英伟达验证并投入量产，搭载在英伟达Vera CPU中。该模块容量达192GB，每一颗CPU可配置8个模块，总容量达1.5TB，最高速率达9.6Gbps。同时，三星正于踊跃鞭策LPDDR6尺度化进程，JEDEC已经确认其于LPDDR6尺度制订中饰演了焦点脚色。
于存储技能方面，三星正依附其176层QLC NAND等领先工艺，维持全世界NAND市场约28%的份额。同时，公司正加快量产280层第9代V-NAND，并踊跃结构被称为“NAND范畴HBM”的高带宽闪存（HBF），方针是于2028年实现商用化，以应答AI基础举措措施对于存储带宽的持久需求。
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